《科创前沿报》6月2日最新消息 在今日盛大开幕的Computex 2026电脑展上，三星电子震撼发布了其第八代高带宽存储芯片HBM5，并同步揭晓了创新的HPB（Heat Pass Block，即导热块）散热解决方案。

据《朝鲜日报》等多家韩国权威媒体报道，三星电子将采用其自主研发的尖端2nm工艺来制造HBM5芯片，预计该芯片将于2028年左右正式投入量产。而HPB技术，作为此次发布的核心热管理技术，将在大规模生产中发挥至关重要的作用。

具体来说，HPB是一种巧妙集成在芯片封装内部的金属导热结构，它通常由高性能的铜基材料精心打造。相较于传统的基板、DAF或EMC等聚合物基材料，HPB的导热性能实现了质的飞跃，高出约500至1000倍，为芯片的高效散热提供了有力保障。

三星电子首席技术官宋载赫在发布会上表示：“我们通过引入一个类似烟囱结构的独立传热路径，成功降低了芯片的运行温度，并显著提升了其运行稳定性。展望未来，HPB技术将在高带宽、高密度的人工智能环境中，为提升下一代HBM芯片的性能和系统效率发挥举足轻重的作用。”

宋载赫还透露，HPB技术已经在HBM4E芯片中得到了成功应用和严格验证，其可靠性和稳定性均得到了充分证明，为HBM5的量产奠定了坚实基础。

值得一提的是，作为技术验证的重要一环，三星电子此前已在Exynos 2600芯片中引入了HPB技术，并取得了显著成效。该处理器的散热性能相比上一代产品提升了30%，这充分展示了HPB散热技术在移动处理器市场的巨大潜力。

当前，随着AI基础设施的迅猛发展，散热需求日益迫切，多种热管理技术在存储领域如雨后春笋般涌现。

就在不久前的5月26日，SK海力士也推出了其创新的iHBM解决方案。该方案通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”，有效降低了产品运行时的发热量。据悉，该技术同样将应用于HBM5等下一代产品中。SK海力士表示：“我们的技术与客户现有的SiP系统级封装环境高度兼容，客户无需进行大规模设计改动，即可轻松部署。”

那么，三星电子和SK海力士为何纷纷致力于革新HBM散热技术呢？

有机构分析指出，HBM5架构虽然能够以更高的速度处理更大的数据量，但同时也带来了内部发热量的急剧增加。特别是负责HBM与外部GPU之间超高速数据传输的D2D PHY（芯片间物理层），更是被视为芯片内部的主要热源之一。而HPB和iHBM技术的独特之处在于，它们在D2D PHY区域内构建了独立的散热路径，从而有效改善了热传导和散热效果，降低了热阻，并显著增强了系统的稳定性。

在散热技术不断升级的预期下，HBM市场或将继续保持供不应求的紧张局面。根据TrendForce集邦咨询的最新研究，由于三大原厂采用年度议价机制，HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在就2027年的主流产品HBM4供应进行紧张谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM市场的供不应求状况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本因素，三大原厂将于2027年大幅上调HBM的报价，以应对市场挑战。