《徽声在线》6月29日消息，今日韩国产业通商资源部的重要官员金正官对外宣布，韩国将豪掷800万亿韩元（折合约5180亿美元）在韩国西南部地区打造四座半导体制造工厂。按照规划，预计在五年内实现DRAM生产能力翻番，同时预测全球内存市场将在未来5年内实现四倍增长，这一举措无疑将对全球半导体产业格局产生深远影响。

金正官进一步介绍，韩国在半导体产业布局上有着清晰的规划。一方面，将加快西南地区的审批和建设流程，以尽快扩大存储芯片的产能，满足市场不断增长的需求；另一方面，中部地区将聚焦于先进封装技术的研发与发展，而东南部地区则会着重打造成为半导体材料、零部件和设备以及下一代功率芯片的核心区域，形成产业集群效应，提升韩国半导体产业的整体竞争力。

在韩国政府大力推动半导体产业发展的同时，存储行业的巨头们也纷纷开启了大规模的扩产计划，积极响应市场趋势。

三星电子会长李在镕和SK集团会长崔泰源在今日的重要会议上，共同公布了一项在未来10年内投资总额高达2000万亿韩元（约1.3万亿美元）的具有跨时代意义的本土投资计划。该计划的核心在于打破传统的首都圈集中发展模式，将投资重心向以全罗道为中心的西南地区转移，为当地半导体产业发展注入强大动力。

具体来看，三星电子经过慎重选址，将光州原空军基地确定为半导体前道工序晶圆厂（Fab）的核心建设地点，计划在此建设4 - 5座晶圆厂；SK海力士也紧跟步伐，同样选择在光州打造4 - 5座前道晶圆厂。仅在半导体新设项目方面，这两家巨头的投资额预计都将达到600万亿韩元，这一规模远远超过了此前京畿道龙仁集群的投资规模，显示出它们对半导体产业未来发展的坚定信心和强大投入决心。

为了有力支撑存储扩产计划，存储巨头们在设备与材料供应方面也展开了激烈竞争。以SK海力士为例，该公司明确表示将充分利用赴美上市募资所得资金，用于设备采购和存储材料订单。目前，SK海力士正在为清州P&T6封装测试工厂引进额外设备，以应对第六代高带宽内存（HBM4）封装与测试的迫切需求，确保自身在技术领域的领先地位。

东吴证券对此进行了深入分析，指出当前SK海力士正全力推进扩产计划。按照规划，五年内其晶圆产能将实现翻倍，到2034年产能将扩至三倍。而且，2026年的资本支出将大幅高于去年水平，这将极大地拉升上游设备采购需求，使得半导体设备市场逐渐进入卖方市场。存储扩产有望带动半导体设备市场放量增长，相关设备商和零部件企业将迎来出海发展的良好机遇。同时，在国内市场，国产化替代进程也在加速推进，设备需求有望进一步放量，为国内半导体设备企业提供了广阔的发展空间。

华泰证券也发表了观点，随着存储企业的不断扩产，全球半导体材料市场有望迎来快速增长期。此外，当前我国半导体材料国产化率整体仍处于较低水平。不过，随着自主可控要求的不断提高以及国内企业产品竞争力的逐步提升，国产化率有望在未来实现显著提高，推动我国半导体材料产业迈向新的发展阶段。

据《徽声在线》不完全统计，目前A股已有以下半导体设备与材料公司成功进入韩国存储供应链，这些企业有望借助韩国存储产业的发展东风，实现自身的快速发展。

（徽声在线 张真）