徽声在线7月30日讯（编辑 李然）随着人工智能技术的迅猛发展，全球内存市场正经历一场前所未有的供应危机。数据中心对高带宽内存HBM的旺盛需求，正不断挤压传统DRAM的产能空间，导致业内纷纷发出DRAM与企业级SSD将面临严重短缺且价格高企的预警。

台湾知名存储芯片厂商宇瞻科技（Apacer）的首席执行官张家騉近日透露，受多重因素影响，明年全球传统DRAM的供应量将出现断崖式下跌，预计仅能完成今年设定产能目标的30%，这一数字意味着实际供应量较今年可能锐减70%。

这一严峻形势与SK海力士首席执行官郭鲁正上周的表态不谋而合。郭鲁正指出，尽管内存市场已开始进入调整阶段，但未来的挑战或许更加艰巨。从供应端来看，2027年或将成为该行业历史上最为艰难的一年。

据权威报告预测，2027年至2028年间，内存相关的晶圆供应预计将以每年12%的速度稳步增长，进而推动内存市场以20%的年增长率扩张。然而，其中近半数的增长将由HBM贡献，导致非HBM内存的供应年增长率仅为15%，而需求年增长率却高达22%，供需矛盾进一步加剧。

这一预测无疑为DRAM芯片市场蒙上了一层阴影，预示着其将继续深陷供不应求的困境，相关产品价格也将持续保持高位运行，这对于依赖内存的消费电子产业而言，无疑是一场噩梦般的挑战。

内存市场周期分析

张家騉此前曾分析指出，科技巨头纷纷加速建设人工智能服务器，直接推动了HBM需求的持续增长。因此，三星电子、SK海力士以及美光等存储巨头更倾向于追求高毛利的HBM业务。与此同时，企业级SSD也因大语言模型、模型推理等新技术的兴起而需求升温，共同造成了内存和固态硬盘双双缺货的局面。

内存和固态硬盘作为消费电子产品的关键零部件，其供应短缺和价格高企对个人电脑、手机等成本敏感型产品的制造商构成了巨大压力。这些制造商不得不开始缩减采购规模，而这一局面预计至少将持续至2027年上半年。

为应对这一挑战，三星电子已宣布其韩国平泽工厂P5 Fab 1将于2027年7月提前投产，P5 Fab 2以及龙仁新基地则均提前至2029年投产。同时，SK海力士也将其位于龙仁的Y1厂和Y2厂的投产时间分别提前至2027年2月和2028年下半年。

业内专家指出，新产能的加入往往是半导体上升周期接近尾声的重要信号。据此推测，DRAM市场的景气高点可能出现在2028年下半年，而人工智能数据中心的资本支出则可能在2029年进入平台期。

在此之前，业内普遍认为消费电子行业唯一可能出现的转机将来自于中国内存制造商长鑫科技的3D DRAM技术的商业化突破。这一技术能够在不缩小水平节点尺寸的前提下，最大限度地提高原始比特密度和存储容量，为缓解内存供应紧张提供新的可能。

（徽声在线 李然）