【徽声在线讯】SK海力士加速布局中国NAND闪存市场 大连2号工厂重启扩建产能或增五成 据徽声在线8月11日最新消息，全球知名半导体制造商SK海力士已正式重启其位于中国大连的NAND闪存生产基地2号工厂建设项目。此次扩建计划将使该基地整体产能提升约50%，标志着SK海力士在华投资战略进入新阶段。

记者从行业内部获悉，大连2号工厂项目于四年前启动建设，但受全球存储器市场周期性波动影响，工程进度曾一度陷入停滞。随着半导体行业景气度回升，SK海力士决定追加投资推进项目建设，预计将在2023年第四季度完成关键生产设备的导入工作，并于2024年上半年实现规模化量产。

技术参数显示，新建生产线将采用128层3D NAND闪存技术，初期晶圆投片量规划为每月5万片。结合现有1号工厂每月10万片的产能，大连基地整体月产能将突破15万片大关。行业分析师指出，此次扩产不仅将强化SK海力士在消费级SSD市场的竞争力，更有助于缓解当前全球存储芯片供应紧张的局面。

值得关注的是，SK海力士此次扩产正值中国半导体产业自主化进程加速期。业内人士分析，该公司通过扩大在华产能，既能降低生产成本，又能更好地服务中国本土客户，形成双赢局面。据预测，随着大连基地全面达产，SK海力士在中国市场的份额有望提升至25%以上。（中新经纬数据支持）