徽声在线9月8日消息（记者 李轩）根据多方渠道综合信息，受高带宽内存（HBM）市场供需失衡影响，三星电子已将4纳米制程产能的半数转向内存芯片生产领域。

最新行业数据显示，截至8月底，三星位于韩国的4纳米芯片生产线中，已有50%产能用于HBM4内存芯片制造。当前该制程已实现满负荷运转，其中50%-60%的晶圆产出专供HBM4基础裸片生产。

据产业链人士透露，三星平泽工厂P2、P3园区承担着4-7纳米芯片生产任务，依托S5、S6两条先进晶圆产线。其中4纳米产线月产能达3万片，而HBM4基础裸片月产量已突破1.5万片，占据该制程半数产能。

值得关注的是技术迭代动向，8月下旬有消息称三星正评估将2纳米制程引入HBM基础裸片制造。为此可能改造器兴工业区某条产线，所产2纳米HBM芯片或将成为英伟达专属供应方案。

产能竞赛白热化

KB证券最新研报指出，三星与SK海力士的存储芯片库存周期已压缩至不足10天，预计2025年将出现显著供应缺口。AI数据中心建设浪潮引发的需求激增，已成为当前内存芯片市场失衡的核心推手。

面对HBM芯片的爆发式需求，三星、SK海力士及美光科技均启动扩产计划。但这种产能倾斜正在挤压传统DRAM芯片的生存空间，形成此消彼长的技术迭代效应。

行业数据显示，三星与SK海力士当前HBM月产能维持在15-20万片区间，美光科技则设定了年底前达到10万片的生产目标。值得关注的是，各厂商在HBM4技术路径选择上呈现差异化布局。

SK海力士采取代工外包策略，将基础裸片生产委托台积电，并在初代HBM4产品中沿用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM技术）确保良率。美光科技则采取稳健策略，现阶段重点突破产能瓶颈。

三星电子选择激进路线，直接采用1c工艺（10纳米级第六代DRAM技术）并自主开发4纳米基础裸片。这种垂直整合模式若能保证良率，有望在下半年抢占更多市场份额。业内分析认为，这种技术-制造协同优势可能重塑HBM市场竞争格局。

（徽声在线 李轩）