徽声在线9月8日讯（编辑 李轩）综合多方消息，随着高带宽内存（HBM）市场需求持续井喷，三星电子已将4纳米制程芯片的产能分配策略进行重大调整，将半数产能转向内存芯片生产领域。

据供应链人士透露，截至8月底，三星位于韩国平泽的4纳米芯片生产线中，已有50%的产能专用于HBM4内存芯片制造。当前该制程已实现满负荷运转，其中50%-60%的晶圆产出用于生产HBM4基础裸片，这一比例较年初提升了近30个百分点。

技术细节显示，平泽工厂2号、3号园区配备S5/S6两条晶圆生产线，覆盖4-7纳米制程。其中4纳米产线月产能达3万片晶圆，而HBM4基础裸片月产量已攀升至1.5万片，占该制程总产能的半壁江山。这种产能倾斜直接导致传统DRAM芯片供应出现缺口。

行业动态方面，8月下旬有知情人士披露，三星正在评估将2纳米制程引入HBM基础裸片生产。为此可能改造器兴工业区的一条试验线，该产线若投产将专门为英伟达供应2纳米HBM芯片，这标志着三星在先进制程内存领域的又一次技术跃进。

产能博弈白热化

KB Securities最新研报指出，三星与SK海力士的存储半导体库存周期已缩短至不足10天，预计2025年将出现显著供应缺口。人工智能数据中心建设狂潮成为主要推手，三大存储巨头正展开激烈的产能竞赛。

产能扩张数据显示，三星与SK海力士当前HBM月产能均维持在15-20万片区间，美光科技则计划在年底前将产能提升至10万片。但这种扩张正对传统DRAM市场形成挤压效应，市场预测DRAM价格将在四季度出现15%-20%的涨幅。

技术路线分化方面，SK海力士采取代工模式，将基础裸片生产外包给台积电，其初代HBM4采用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM技术）确保良率。美光则采取稳健策略，现阶段重心仍放在产能爬坡和工艺优化上。

三星电子选择激进路线，直接切入1c工艺（10纳米级第六代DRAM技术），并自主研发4纳米基础裸片。这种垂直整合模式使其代工、封装工艺形成协同效应，业内分析认为若良率达标，三星有望在下半年夺取30%以上的HBM4市场份额。

（徽声在线 李轩）