据徽声在线科技频道16日消息，宁波领开半导体技术有限公司（以下简称“领开半导体”）近期宣布完成A+轮战略融资，本轮投资阵容包括三花弘道投资、德同资本及辰韬资本，具体融资金额暂未对外公布。

此次募集资金将重点投向新一代HBF+芯片的研发迭代、规模化量产及全球市场布局，加速推进自主存储架构从技术验证向商业化落地的跨越式发展。

值得关注的是，德同资本作为老股东在本轮继续加码，实现连续两轮追加投资，彰显资本对领开半导体技术路线的高度认可。

根据财联社创投通—执中数据模型预测，以2026年9月为评估基准点，领开半导体未来两年获得新一轮融资的概率高达88.41%，反映出资本市场对其发展潜力的持续看好。

成立于2020年的领开半导体，扎根浙江省宁波市镇海区，是一家专注于存储芯片领域的技术创新型企业。其核心优势在于自主研发的ATopFlash技术体系与HBF+架构的深度融合。

通过突破性地将3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取能力相结合，公司最新推出的HBF+芯片实现三大技术突破：带宽性能达到行业领先的HBM4标准，单芯片容量较传统方案提升300%，功耗降低45%。特别值得关注的是，该技术路线不依赖现有DRAM产能，通过独创的工艺优化与芯片设计协同方案，重构了数据访问路径的传输效率。

在应用场景拓展方面，领开半导体正针对AI推理大模型的权重存储需求，开展HBF+芯片的产品化验证与客户适配工作。通过优化存储架构与计算单元的协同机制，在保障推理性能的同时，将部署成本降低60%，运行能耗减少50%，为大规模AI应用落地提供更具性价比的存储解决方案。

当前，高带宽闪存赛道正迎来政策红利与产业资本的双重驱动。国家层面通过专项规划引导技术创新，头部企业加速布局核心技术专利，整个产业生态呈现技术突破与商业化落地齐头并进的良好态势。

资本运作层面，全球存储巨头铠侠控股近日宣布启动美股上市计划，拟通过发行美国存托股票（ADS）拓展国际融资渠道，此举被视为提升企业估值、强化技术研发实力的重要战略举措。

市场竞争格局方面，铠侠最新研发的高带宽闪存原型产品展现出惊人性能，其存储容量达到HBM3E模块的40倍；闪迪推出的HBF垂直堆叠方案，通过TSV硅通孔技术实现多层互联，单堆容量突破4TB大关，为超大规模数据中心建设提供新的技术路径。

政策支持维度，工业和信息化部与国家发展改革委联合发布的《电子信息制造业发展“十五五”规划》明确提出，要重点突破高带宽闪存、高带宽内存等新型存储技术，推动“以存强算”战略落地。上海市政府在《现代化产业体系“十五五”规划》中进一步强调，要加快存储芯片技术攻关，力争达到国际先进水平。

行业分析机构高盛最新研报指出，闪迪投资者日释放的积极信号超出市场预期，特别是HBF技术在AI存储领域展现出的额外增长空间，有望重塑全球存储产业竞争格局。

（徽声在线科技频道记者 徐杰）