徽声在线9月8日讯（编辑 李华）综合多方消息显示，当前高带宽内存（HBM）市场需求呈现爆发式增长态势，三星电子已将4纳米制程芯片产能的半数转向内存芯片生产。这一战略调整源于全球AI数据中心对HBM芯片的旺盛需求，导致市场供需缺口持续扩大。

据供应链人士透露，截至8月底，三星位于韩国平泽的S5/S6两条晶圆生产线中，4纳米制程产能利用率已达100%，其中50%-60%的晶圆被用于生产HBM4基础裸片。按当前月产能3万片计算，HBM4相关产品月产量已达1.5-1.8万片规模。

生产布局方面，平泽2号园区主要承担4-5纳米制程生产，3号园区则聚焦6-7纳米工艺。三星特别将4纳米产线中的1.5万片月产能划归HBM4基础裸片生产，该部件作为HBM存储器的核心组件，直接影响最终产品的性能表现。

技术迭代层面，三星正加速推进2纳米制程研发。有消息称其计划改造器兴工业区生产线，专门为英伟达定制2纳米HBM芯片。若该项目落地，将使三星在先进制程HBM领域形成差异化竞争优势，较现有4纳米产品实现20%以上的性能提升。

产能竞赛白热化

韩国KB证券最新研报指出，三星与SK海力士的存储芯片库存周期已缩短至不足10天，预计2025年将出现显著供应缺口。AI训练规模指数级增长带来的算力需求，正推动HBM芯片成为制约行业发展的关键瓶颈。

扩产竞赛中，三大存储巨头呈现不同战略取向：三星采取激进扩张策略，计划将HBM月产能从当前15-20万片提升至25万片；SK海力士选择与台积电合作外包基础裸片生产，通过1b工艺（10纳米级第五代DRAM）确保良率；美光则专注产能爬坡，目标年底达到10万片月产能。

技术路线分化方面，SK海力士在初代HBM4采用1b工艺，通过成熟制程降低风险；美光延续保守策略，优先保障现有产线稳定运行；三星则直接押注1c工艺（10纳米级第六代DRAM），配合自研4纳米基础裸片形成技术闭环。行业分析师认为，三星若能解决良率问题，有望在下半年抢占30%以上市场份额。

值得关注的是，HBM扩产正在挤压传统DRAM产能。据TrendForce数据，2024年Q2 DRAM均价已上涨13-18%，预计HBM占比每提升1%，将推动DRAM价格进一步上涨3-5%。这种结构性变化正在重塑全球存储芯片市场格局。

（徽声在线 李华）