《科创板日报》16日最新消息，宁波领开半导体技术有限公司（以下简称“领开半导体”）近期成功完成了A+轮融资，此次融资吸引了三花弘道投资、德同资本以及辰韬资本等知名投资机构的参与。不过，本轮具体的融资金额并未对外公布。

据领开半导体透露，本轮所筹集到的资金将主要用于新一代HBF+芯片的研发工作、量产计划以及市场拓展策略的实施，旨在加速自主存储架构向产品化和规模化应用的转型进程。

值得一提的是，德同资本在此轮融资中再次选择了追加投资，这已经是其连续第二轮对领开半导体进行投资了。

根据财联社创投通—执中数据的预测，以2026年9月为基准时间点，领开半导体在未来两年的融资预测概率高达88.41%，显示出市场对其发展前景的广泛认可。

领开半导体自2020年成立以来，便扎根于浙江省宁波市镇海区，专注于依托自研的ATopFlash技术及HBF+架构进行存储芯片的研发工作。

在技术研发方面，领开半导体自主研发了ATopFlash核心技术，该技术巧妙地融合了3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取优势。目前，公司已经成功推出了新一代HBF+芯片，这款芯片具备高带宽、大容量以及低功耗等显著特点，其读操作核心参数能够与HBM4相媲美，并且不占用传统的DRAM产能。通过自有工艺与芯片设计的协同优化，数据访问路径得到了极大的提升。

当前，领开半导体正紧密围绕AI推理大模型对权重存储的需求，积极推进HBF+芯片的产品验证与客户适配工作。公司致力于在满足推理性能要求的前提下，有效降低部署与运行成本，从而推动自主存储架构向更广泛的产品化和规模化应用迈进。

在高带宽闪存这一赛道上，随着政策的扶持以及行业巨头的竞相追逐，技术突破与产业化落地的步伐正在不断加快。

在资本化动向方面，铠侠控股近期宣布计划在美国证券交易所挂牌上市其代表普通股的“美国存托股票”（ADS），此举旨在进一步扩大投资者基础，提升企业价值。

在竞争格局上，铠侠也在积极研发高带宽闪存（HBF）技术，其原型产品的容量更是达到了HBM3E模块的40倍之多。同时，闪迪也推出了HBF高带宽闪存方案，该方案借鉴了HBM的垂直堆叠思路，通过TSV硅通孔多层互联技术，将多个NAND层进行垂直堆叠，使得HBF单堆容量最高可达4TB。

在政策支持方面，工业和信息化部与国家发展改革委联合印发了《电子信息制造业发展“十五五”规划》，其中明确提到要加快发展先进存力，推动以存强算、以存代算，并研发高带宽闪存、高带宽内存等新型存储产品。此外，上海市人民政府也印发了《上海市加快推进新型工业化构建现代化产业体系“十五五”规划》，其中提出要推进存储芯片达到国际先进水平。

从行业趋势来看，高盛在最新发布的研报中指出，闪迪投资者日所释放出的信号显示出强于预期的长期盈利和股东回报前景，同时HBF（高带宽闪存）技术也为AI存储领域带来了额外的增长空间。

（科创板日报记者 徐杰）