《徽声在线科创板频道》16日最新消息，宁波领开半导体技术有限公司（以下简称“领开半导体”）近日宣布成功完成A+轮战略融资，本轮投资阵容包括三花弘道投资、德同资本及辰韬资本三大知名机构，但具体融资金额暂未对外公布。

据公司透露，此次募集资金将重点投向新一代HBF+芯片的研发深化、规模化量产及全球市场拓展，加速推进自主存储架构从技术验证向商业化应用的全面转型。

值得关注的是，德同资本作为领开半导体的长期战略合作伙伴，已连续两轮追加投资，彰显其对HBF+技术路线的高度认可。

根据财联社创投通—执中数据模型预测，以2026年9月为基准节点，领开半导体未来两年内获得新一轮融资的概率高达88.41%，凸显资本市场对其发展潜力的持续看好。

成立于2020年的领开半导体，总部坐落于浙江省宁波市镇海区，是一家专注于存储芯片领域的技术创新型企业。公司依托自主研发的ATopFlash技术体系与HBF+架构，在存储芯片领域构建起独特的技术壁垒。

其核心专利技术ATopFlash通过创新性融合3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取优势，成功开发出新一代HBF+芯片。该芯片具备三大显著优势：其一，读操作核心参数全面对齐并兼容HBM4标准；其二，采用非传统DRAM工艺路线，有效规避产能竞争；其三，通过芯片设计与制造工艺的协同优化，重构数据访问路径，实现性能与能效的双重突破。

当前，公司正围绕AI推理大模型对权重存储的特殊需求，加速推进HBF+芯片的产品验证与客户适配工作。通过架构创新与生态合作，致力于在保障推理性能的前提下，显著降低AI算力基础设施的部署与运维成本，为存储芯片的规模化应用开辟新路径。

在高带宽闪存赛道，政策红利与产业资本的双重驱动正加速技术突破与产业化进程。近期，行业呈现出多维度竞争格局：

资本运作层面，全球存储巨头铠侠控股宣布启动美国存托股票（ADS）上市计划，拟通过拓宽融资渠道强化技术研发与市场布局；技术竞争层面，铠侠推出容量达HBM3E模块40倍的高带宽闪存原型产品，闪迪则通过TSV硅通孔技术实现NAND层垂直堆叠，单堆容量突破4TB；政策支持层面，工业和信息化部与国家发展改革委联合发布的《电子信息制造业发展“十五五”规划》明确提出，要加快发展先进存力技术，推动高带宽闪存等新型存储产品的研发与产业化。

地方政策方面，上海市人民政府在《上海市加快推进新型工业化构建现代化产业体系“十五五”规划》中特别强调，要重点突破存储芯片关键技术，力争达到国际先进水平。行业分析机构高盛最新研报指出，闪迪投资者日释放的积极信号表明，HBF技术将为AI存储市场创造显著的增量空间，预计未来三年相关市场规模将保持年均35%以上的增速。

（徽声在线科创板频道记者 徐杰）