据徽声在线科技频道16日消息，宁波领开半导体技术有限公司（简称“领开半导体”）近日宣布完成A+轮战略融资，本轮投资由三花弘道投资领投，德同资本、辰韬资本跟投，具体融资金额暂未对外公布。

此次募集资金将重点投向新一代HBF+芯片的研发迭代、规模化量产及市场生态建设，加速推进自主存储架构从技术验证向商业化落地转型。值得关注的是，德同资本已连续两轮追加投资，彰显对项目技术路线的高度认可。

根据财联社创投通—执中数据预测模型显示，以2026年9月为基准节点，领开半导体未来24个月内完成新一轮融资的概率达88.41%，反映出资本市场对其技术突破的持续期待。

作为2020年成立于宁波镇海区的存储芯片新锐，领开半导体依托自主研发的ATopFlash技术体系与HBF+架构，成功突破传统存储技术瓶颈。其核心技术通过融合3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取优势，构建起独特的混合存储解决方案。

最新推出的HBF+芯片在性能参数上实现重大突破：带宽密度较前代提升300%，单位容量功耗降低45%，读操作核心指标全面对齐HBM4标准。更关键的是，该技术路线不依赖传统DRAM产能，通过芯片设计与制造工艺的协同优化，重构了数据访问路径，为AI推理场景提供了更具成本优势的存储方案。

目前公司正联合多家头部AI企业开展HBF+芯片的产品验证，重点针对大模型权重存储场景进行深度适配。测试数据显示，在保持推理性能不变的前提下，部署成本可降低35%，运行能耗下降28%，这为自主存储架构的规模化应用扫清了关键障碍。

在高带宽闪存赛道，政策红利与产业资本的双重驱动正加速技术突破。工业和信息化部、国家发展改革委联合发布的《电子信息制造业发展“十五五”规划》明确提出，要重点发展高带宽闪存等新型存储产品，推动“以存强算”战略落地。上海市政府在新型工业化规划中也强调，要突破存储芯片关键技术，达到国际领先水平。

资本层面同样动作频频。全球存储巨头铠侠控股近日宣布启动美国存托股票（ADS）上市计划，拟通过纽约证券交易所扩大投资者基础，此举被视为应对行业变革的重要战略布局。与此同时，闪迪公司推出的HBF高带宽闪存方案，通过TSV硅通孔技术实现4TB单堆叠容量，展现出垂直堆叠技术的巨大潜力。

竞争格局方面，铠侠研发的高带宽闪存原型产品容量已达HBM3E模块的40倍，而闪迪的HBF方案通过模仿HBM垂直堆叠思路，在容量密度上实现跨越式发展。这些行业动态表明，高带宽存储技术正成为AI时代的关键基础设施。

高盛最新研报指出，随着HBF技术在AI存储领域的渗透，相关厂商将获得额外增长空间。闪迪投资者日释放的积极信号，进一步印证了市场对高带宽存储解决方案的强烈需求。在这场存储技术变革中，领开半导体等创新企业正通过差异化技术路线，构建新的产业竞争格局。

（徽声在线科技频道记者 徐杰）