《科创板日报》16日最新消息，宁波领开半导体技术有限公司（简称“领开半导体”）近期成功完成了A+轮融资，此次融资吸引了三花弘道投资、德同资本以及辰韬资本等知名投资机构的参与。不过，本轮具体的融资金额并未对外公布。

据悉，领开半导体此次所筹集到的资金，将主要用于新一代HBF+芯片的研发工作、量产计划以及市场拓展策略的实施，旨在加速自主存储架构向产品化和规模化应用的转型进程。

值得一提的是，德同资本在此轮融资中再次选择了追加投资，这已经是其连续第二轮对领开半导体进行投资了。

根据财联社创投通—执中数据的预测，以2026年9月为基准时间点，领开半导体在未来两年的融资预测概率高达88.41%，显示出市场对其发展前景的强烈信心。

领开半导体自2020年成立以来，便扎根于浙江省宁波市镇海区，专注于依托自研的ATopFlash技术及HBF+架构进行存储芯片的研发工作。

公司自主研发的ATopFlash核心技术，巧妙融合了3D NAND的高密度存储特性与DRAM的并行读取优势。目前，领开半导体已经推出了新一代HBF+芯片，该芯片具备高带宽、大容量以及低功耗等显著特点，其读操作核心参数与HBM4相匹配且兼容，同时还不占用传统的DRAM产能，通过自有工艺与芯片设计的协同优化，有效提升了数据访问路径的效率。

当前，领开半导体正围绕AI推理大模型对权重存储的需求，积极推进HBF+芯片的产品验证与客户适配工作，力求在满足推理性能要求的前提下，进一步降低部署与运行成本，推动自主存储架构向更广泛的产品化和规模化应用迈进。

在高带宽闪存这一赛道上，随着政策的扶持以及行业巨头的竞相布局，正加速迎来技术突破与产业化落地的新阶段。

在资本化方面，铠侠控股近期宣布计划在美国证券交易所挂牌上市其代表普通股的“美国存托股票”（ADS），此举旨在扩大投资者基础、提升企业价值等。而在竞争格局上，铠侠也在积极研发高带宽闪存（HBF），其原型产品的容量更是达到了HBM3E模块的40倍。此外，闪迪也推出了HBF高带宽闪存方案，该方案模仿了HBM的垂直堆叠思路，依靠TSV硅通孔多层互联技术，将多个NAND层进行垂直堆叠，使得HBF单堆容量最高可达4TB。

政策层面，工业和信息化部与国家发展改革委联合印发的《电子信息制造业发展“十五五”规划》中明确提到，要加快发展先进存力，推动以存强算、以存代算，并研发高带宽闪存、高带宽内存等新型存储产品。同时，上海市人民政府印发的《上海市加快推进新型工业化构建现代化产业体系“十五五”规划》中也提到，要推进存储芯片达到国际先进水平。

行业趋势方面，高盛在最新发布的研报中指出，闪迪投资者日所释放出的信号显示，其长期盈利和股东回报预期强于市场预期，同时HBF（高带宽闪存）技术也为AI存储领域带来了额外的增长空间。

（科创板日报记者 徐杰）