徽声在线9月8日消息（编辑 李明）根据多方渠道综合信息，受高带宽内存（HBM）市场持续供不应求影响，三星电子已将4纳米制程产能的50%转向内存芯片生产领域。

最新行业数据显示，截至8月底，三星4纳米芯片产线中已有半数产能用于HBM4内存芯片制造，当前该制程产线已实现满负荷运转，其中50%-60%的晶圆产出专门用于HBM4基础裸片生产。

据供应链消息透露，三星韩国平泽基地的P2、P3厂区承担着4-7纳米芯片生产任务，主要依托S5、S6两条12英寸晶圆生产线。其中4纳米产线月产能达3万片，仅HBM4基础裸片就占据1.5万片产能，显示该产品战略地位显著提升。

值得关注的是，三星8月被曝正在推进2纳米制程的HBM芯片研发。据知情人士称，公司计划改造器兴工业园区的某条生产线，专门生产面向英伟达的2纳米HBM芯片，此举若成功将进一步巩固其在高端AI芯片市场的优势地位。

产能博弈升级

KB证券最新研报指出，三星与SK海力士的存储芯片库存已压缩至不足10天供应量，预计2025年将出现显著产能缺口。AI数据中心建设浪潮引发的需求激增，已成为当前内存芯片市场失衡的核心诱因。

面对HBM芯片的爆发式需求，三星、SK海力士及美光三大厂商均启动扩产计划，但这也导致传统DRAM芯片产能受到挤压。行业分析师指出，这种结构性调整或将持续影响内存市场价格走势。

产能数据方面，三星与SK海力士当前HBM月产能均维持在15-20万片区间，美光则设定年底前达到10万片的目标。值得注意的差异在于，三星选择自研4纳米基础裸片，而SK海力士将部分基础裸片生产外包给台积电。

技术路线分化方面，SK海力士在初代HBM4采用成熟的1b工艺（10纳米级第五代DRAM技术）确保良率，美光则专注产能爬坡。相比之下，三星直接采用更先进的1c工艺（10纳米级第六代DRAM技术），这种激进策略若能保障良率，有望在下半年抢占更多市场份额。

（徽声在线 李明）