徽声在线9月18日讯（编辑 李明）根据三位不愿具名的业内人士透露，全球存储芯片巨头SK海力士旗下美国子公司Solidigm正在评估在美国新建NAND闪存生产基地的可行性，纽约州上州地区因其完善的产业配套成为重点考察对象。

美国建厂背后的战略考量

当前SK海力士正面临美国政府持续加码的施压，白宫方面要求韩国半导体企业将至少30%的先进产能转移至美国本土。特别是在人工智能算力需求爆发式增长背景下，全球数据中心对高性能NAND芯片的需求激增，美国政府正通过《芯片与科学法案》推动半导体产业链重构。

据知情人士补充，该拟建项目与SK海力士和英特尔正在协商的俄亥俄州合作计划属于独立项目。后者涉及在英特尔现有厂区建设HBM3等高端存储芯片生产线，预计总投资额将超过200亿美元。

针对媒体报道，SK海力士官方回应称："Solidigm团队正在系统评估包括新建晶圆厂在内的多种战略选项，但尚未进入最终决策阶段。任何投资计划都需要经过严格的财务模型测算和供应链风险评估。"

公开资料显示，Solidigm公司成立于2021年12月，其核心资产源自英特尔大连工厂的NAND闪存业务。这笔价值90亿美元的收购案使SK海力士在全球NAND市场的份额提升至23%，仅次于三星电子。

目前，Solidigm的制造业务完全依赖中国大连基地，该工厂具备12英寸晶圆月产13万片的能力。而在美国市场，该公司仅设有全球研发中心和销售总部。

行业分析师指出，在美国建厂将带来三重战略价值：其一可规避美国对华301调查可能升级的关税措施；其二能确保获得EUV光刻机等受出口管制设备的稳定供应；其三符合美国《通胀削减法案》中关于先进制造业的税收抵免条件。

不过消息人士强调，项目仍存在重大变数。目前双方在土地购置成本、地方税收优惠、环保审批等关键条款上尚未达成共识，预计最终决策将推迟至2025年第一季度。

地缘政治博弈下的艰难抉择

对于SK海力士而言，美国建厂计划犹如走钢丝般需要精准平衡。摩根士丹利最新研报显示，在美国建设NAND工厂的单位成本较韩国本土高出约35%，主要源于人工成本和环保合规支出。

政治层面，美国商务部已明确将半导体产业纳入"友岸外包"重点领域。商务部长霍华德·卢特尼克近期在国会听证会上重申："任何拒绝配合产能转移的企业，其输美产品将面临惩罚性关税。"这给SK海力士带来巨大压力。

与此同时，韩国政府正全力推进"K-半导体产业带"建设。根据规划，到2030年将在光州、全罗南道等地形成总投资额达4500亿美元的半导体集群。首尔方面明确表示，希望SK海力士将最先进的400层NAND技术留在国内生产。

特别值得关注的是，如果SK海力士计划在英特尔工厂生产HBM4等下一代存储芯片，可能触发韩国《产业技术保护法》的审查程序。该法案规定，涉及国家战略技术的高端芯片出口需经过特别许可。

"韩国企业正陷入两难境地，"首尔大学半导体工程系教授朴宰完分析称，"在美国建厂可能获得短期政策红利，但长期看将削弱韩国在全球半导体产业链中的核心地位。"

不过有消息人士透露，由于NAND技术的战略敏感度低于HBM等DRAM产品，Solidigm项目遭遇的政治阻力可能相对较小。美国国防部近期发布的《关键技术清单》中，已将3D NAND列为"非敏感基础技术"。

（徽声在线 李明）