徽声在线9月8日讯（编辑 李明）综合多方消息显示，受高带宽内存（HBM）市场供需失衡影响，三星电子已将4纳米制程产能的半数转向内存芯片生产。这一调整源于AI数据中心对HBM芯片的爆发式需求，导致全球存储芯片市场出现结构性短缺。

据产业链人士透露，截至8月底，三星4纳米产线中50%的晶圆已用于HBM4内存芯片制造，当前该制程整体产能利用率突破100%，其中50%-60%的产出专门用于HBM4基础裸片生产。这种产能倾斜策略直接反映了市场对高端存储芯片的迫切需求。

具体生产布局方面，三星韩国平泽工厂的P2、P3园区承担着4-7纳米芯片制造任务，依托S5、S6两条12英寸晶圆生产线。其中4纳米产线月产能达3万片，而HBM4基础裸片占比已达50%（约1.5万片/月）。这种产能分配模式预示着三星正将战略重心向AI存储领域转移。

技术升级层面，三星被曝正在推进2纳米制程的HBM基础裸片研发。据知情人士称，位于器兴工业区的V1生产线可能进行技术改造，改造后的2纳米HBM芯片或将独家供应英伟达。这项技术突破若能实现，将使三星在先进制程存储芯片领域建立代差优势。

产能竞赛白热化

KB Securities最新研报指出，三星与SK海力士的存储半导体库存周期已缩短至不足10天，预计2025年将出现显著供应缺口。AI数据中心建设热潮成为主要推手，当前三大存储厂商的HBM扩产计划已对传统DRAM产能形成挤压效应。

产能数据对比显示，三星与SK海力士当前HBM月产能均维持在15-20万片区间，美光科技则计划在年底前达到10万片产能。值得关注的是，三星平泽工厂正在建设新的HBM专用产线，预计2025年投产后将新增20万片/月产能。

技术路线选择方面呈现明显分化：SK海力士采用台积电代工基础裸片+1b工艺（10纳米级第五代）的保守策略，优先保障良品率；美光科技则聚焦产能爬坡，暂缓先进制程研发；三星电子直接押注1c工艺（10纳米级第六代）并自研4纳米基础裸片，通过制程-封装协同优化提升产品竞争力。

行业分析师指出，三星的激进策略存在双重风险：若1c工艺良率不达预期，可能丧失市场先机；但若技术突破成功，凭借4纳米制程的成本优势，有望在2024年下半年抢占30%以上市场份额。当前HBM4芯片市场单价已突破300美元，较前代产品溢价达60%。

（徽声在线 李明）