徽声在线9月8日消息（记者 李明）根据多方行业信息汇总，受高带宽内存（HBM）市场持续供不应求影响，三星电子已将4纳米制程产能的半数转向内存芯片生产。

最新数据显示，截至8月底，三星4纳米芯片产线中50%的产能已用于HBM4内存芯片制造，当前该制程整体处于满产状态，其中50%-60%的晶圆被用于生产HBM4基础裸片。这一调整反映出AI服务器市场对高性能内存的强劲需求。

据产业链人士透露，三星位于韩国平泽的P2、P3工厂承担着4-7纳米芯片生产任务，主要依托S5、S6两条12英寸晶圆生产线。其中4纳米产线月产能达3万片，目前半数产能（约1.5万片）已用于HBM4基础裸片制造，较年初产能分配比例提升近30%。

技术升级方面，三星正加速2纳米制程研发进程。有消息称，公司计划改造器兴园区的一条试验线，专门用于2纳米HBM芯片生产，首批产品或将独家供应英伟达Blackwell架构GPU。这项改造若顺利实施，将使三星在先进制程HBM领域形成技术代差优势。

产能竞赛白热化

韩国KB证券最新研报指出，三星与SK海力士的存储芯片库存周期已缩短至不足10天，预计2025年将出现显著供应缺口。AI数据中心建设浪潮成为主要推手，目前三大存储厂商均处于HBM芯片扩产周期，但传统DRAM产能因此受到挤压，导致DDR5等主流产品价格持续上扬。

产能布局方面，三星与SK海力士当前HBM月产能约15-20万片，美光科技则计划年底前达到10万片规模。值得注意的是，三星平泽P4工厂正在建设专门HBM产线，预计2025年投产后将新增20万片月产能，届时总产能有望突破40万片。

技术路线分化显著：SK海力士采用"基础裸片外包+成熟工艺"策略，将部分生产环节交由台积电代工，初代HBM4沿用1b制程（10纳米级第五代DRAM）确保良率；美光科技则采取稳健扩张策略，现阶段重点突破12层堆叠技术并提升产能利用率；三星电子则选择激进路线，直接切入1c制程（10纳米级第六代DRAM）并自研4纳米基础裸片，通过垂直整合优势缩短产品迭代周期。

行业分析师指出，三星的激进策略存在双重效应：一方面，1c制程在带宽密度和能效比上具有明显优势，若良率稳定在70%以上，有望在HBM4市场占据40%份额；另一方面，自研基础裸片需承担更高研发成本，且与台积电等专业代工厂存在技术代差风险。这场技术竞赛的结果或将重塑全球HBM市场格局。

（徽声在线 李明）