徽声在线9月20日讯（记者 李晓晨 张文轩）今日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技（688825.SH）正式推出第五代DRAM技术平台（简称"G5平台"），并同步展出基于该平台研发的大容量LPDDR5X存储芯片。这一技术突破标志着中国存储产业在高端领域实现重要跨越。

公司技术副总裁骆晓东在开幕式上宣布，基于G5平台的首批产品已实现规模化量产，并成功进入华为、小米等国产旗舰手机供应链体系。值得关注的是，8月底刚宣布量产的LPDDR6存储芯片也在本次展会完成全球首秀，引发行业高度关注。

LPDDR5X芯片实拍图 徽声在线记者 摄

据骆晓东介绍，G5平台采用突破性的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距压缩至11.95纳米，达到国际顶尖水平。通过创新工艺流程和新型材料应用，存储电容深宽比提升至45:1，配合高介电常数金属栅（HKMG）工艺，使核心功能区高度缩减至6762纳米。"我们在研发过程中引入AI大模型优化和全流程数字孪生技术，使研发周期缩短30%。"

性能数据显示，G5平台的微缩工艺使存储密度实现质的飞跃：单片晶圆产出量较第四代提升超50%，在能效比和成本控制方面形成显著优势。经测试，新产品在持续读写场景下功耗降低18%，数据保持时间延长至64ms。

展会现场展示的两款LPDDR5X量产芯片均采用24Gb大容量设计，较前代产品容量提升50%。其中496ball封装版本针对旗舰手机优化，245ball版本则主打可穿戴设备市场。目前两条产品线均已进入稳定量产阶段，月产能突破20万片。

记者在长鑫科技展台观察到，LPDDR5X演示机运行《原神》等大型游戏时，帧率稳定性较前代提升22%。现场工程师解释，这得益于新产品采用的动态电压频率调整（DVFS）技术，可根据负载实时调节供电参数。

产品矩阵拓展方面，骆晓东透露公司正在开发车规级LPDDR5X芯片，工作温度范围扩展至-40℃~125℃，已通过AEC-Q100认证。同时，针对AIoT设备优化的低功耗版本正在与多家厂商联合测试。

回顾发展历程，骆晓东感慨道："2019年我们在世界制造业大会发布首款国产DDR4芯片时，国内存储市场95%依赖进口。如今不仅完成五代技术迭代，更在LPDDR6领域实现全球首发量产。"

技术突破背后是持续加大的研发投入。财报显示，长鑫科技近三年研发费用年均增长47%，2025年研发投入达38亿元。公司现已组建超2000人的研发团队，其中博士占比达15%。

备受瞩目的LPDDR6芯片将首批搭载于小米18 Fold折叠屏手机。这款采用1Znm制程的新品，传输速率达12800Mbps，较LPDDR5X提升20%，同时通过新型电源管理技术使功耗降低20%。现场演示显示，搭载LPDDR6的设备在4K视频渲染速度上提升35%。

行业分析师指出，长鑫科技的技术突破将重塑全球存储市场格局。据Omdia数据，2026年中国DRAM市场份额有望从目前的8%提升至23%，其中长鑫科技贡献率将超过60%。

LPDDR6芯片的公开展出吸引众多观众驻足。技术人员现场演示了芯片的抗辐射性能，在模拟太空环境下连续工作72小时未出现数据错误，展现其面向航天领域的潜力。

LPDDR6抗辐射测试演示 徽声在线记者 摄

展会另一亮点是中兴通讯与字节跳动联合研发的AI智能体手机"豆包手机"。该设备搭载长鑫科技定制版LPDDR5X芯片，支持每秒30万亿次AI运算，可实现实时语音翻译、场景识别等创新功能。

据长鑫存储官方消息，努比亚NaviXUltra将成为首款搭载国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片的机型。该芯片采用新型信号增强技术，使数据传输稳定性提升40%，已通过高通骁龙8 Gen4平台兼容性认证。

"豆包手机"AI交互演示 徽声在线记者 摄（徽声在线记者 李晓晨 张文轩）