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我国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片

来源:未知 作者:佚名 发布时间:2026-06-12 20:12:12

财联社6月12日电,据湖北江城实验室消息,该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破,成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片,支撑高算力、低功耗芯片研发。目前,相关技术正在开展工艺流片及小批量试产,将在先进封装领域实现规模化应用。电容在电路中的作用,本质上是一个超微缩的“蓄水池”:当芯片电流剧烈波动时,能迅速充放电以平抑电压,确保芯片吃上“纯净且稳定”的电流。电容在算力系统中也被比喻为“电RAM”:HBM是算力的数据缓冲,电容则是算力的能量缓冲。要在GPU瞬时拉满功率时供得上电,必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力。

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