在当地时间8月4日于美国圣克拉拉举办的2026年未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子正式对外揭晓了其面向人工智能（AI）基础设施领域的下一代存储技术发展蓝图。此次发布会上，三星不仅首次亮相了zHBM与zNAND-O这两款概念性产品，还隆重推出了运用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND存储解决方案。

据三星介绍，zHBM技术的核心在于将高带宽内存（HBM）以垂直堆叠的方式直接集成在AI加速器的上方，这一创新设计极大地缩短了处理器与内存之间的数据传输路径，从而显著提升了AI训练和推理的效率。三星透露，搭载了下一代接口系统的zHBM，其性能预计将达到当前HBM5标准的约8倍之高。同时，借助先进的晶圆键合技术，zHBM的内存密度也将实现超过HBM5 10倍的飞跃，并且在能效表现上也将有显著提升。

在NAND存储技术方面，三星同样带来了革命性的突破。此次发布的V10 BV-NAND架构，通过晶圆键合技术实现了存储单元的超高密度堆叠，层数一举突破400层大关。与上一代V9产品相比，V10 BV-NAND的内存密度提升了约58%，同时在读写速度和输入输出性能方面也得到了显著改善。

除了上述两款重磅产品外，三星还在此次发布会上展示了包括HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及企业级存储PM1763等在内的AI存储产品路线图，全面展现了其在AI存储领域的深厚积累和前瞻布局。