徽声在线8月31日讯（编辑 李莹）近期，AI加速器领域所使用的高带宽内存（HBM）等DRAM产品价格呈现出持续攀升的态势。业内人士近日透露，在全球存储芯片市场中占据约70%份额的两大巨头——三星电子与SK海力士，如今已难以满足急剧增长的DRAM需求。

依据韩国国际贸易协会（KITA）当地时间周一所公布的数据，韩国AI芯片用DRAM的出口量从5月的约6.817亿个下滑至7月的5.9174亿个，降幅达13.2%；然而，同期出口总额却从114.3亿美元跃升至135.5亿美元，增长幅度为18.5%。

平均单价从16.76美元上涨至22.90美元，涨幅高达36.6%。

媒体报道分析指出，出口量减少而价格却上涨的背离现象，主要源于HBM4向英伟达等大客户供货量的增加：目前HBM4仍处于量产的初期阶段，其良率相较于上一代HBM3E要低，在生产过程中需要消耗更多的DRAM，这无疑进一步加剧了DRAM的整体短缺状况。

韩国半导体产业协会（KSIA）常务董事Ahn Ki - hyun表示：

"HBM产品每推出一代新品，良率往往就会出现下降。HBM4的售价大约是上一代的两倍，所以随着存储厂商提高产量，DRAM的消耗量会上升，进而导致出口总量反而出现萎缩。"

媒体报道还称，供应紧张的另一个重要因素是，三星电子与SK海力士将长期协议（LTA）作为销售结构的核心，这使得现货市场变得更加紧张。

据业内消息，三星存储事业部已经将2031年前约70%的产能分配给了LTA订单，其主要交易对象包括英伟达、微软和谷歌等全球科技领域的巨头；即便如此，这些客户也无法获得全部的合约量。

随着HBM市场的争夺愈发激烈，现货价格与长协价格之间的差距大幅拉大。

媒体援引存储市场研究机构MegaGrid Supply的最新数据指出，36GB的HBM3E产品现货售价高达2100美元，约合287万韩元，是其长期合约价格（约50万至70万韩元）的四到五倍。

而正在筹备量产的16层HBM4产品，如果通过现货市场采购，价格更是达到3500美元，约合480万韩元；目前尚不清楚其对应的长协价格情况。

价格上涨助力业绩提升

HBM价格的上涨会直接反映在企业的业绩上。据媒体援引金融投资业分析师的测算，三星电子和SK海力士在第三季度的业绩有望再创新高。

根据该测算，三星电子第三季度市场一致预期的营业收入为206.64万亿韩元、营业利润为116.38万亿韩元，这一数据远高于第二季度的171.50万亿韩元和89.49万亿韩元。

业内人士指出，如果营业利润突破100万亿韩元，这不仅在韩国企业中是首次，在全球科技巨头中也是极为罕见的。

SK海力士第三季度营业收入预计为101.76万亿韩元，环比增长28.2%；营业利润79.16万亿韩元，环比增长30.7%。

积极推进产能扩张计划

市场普遍认为，DRAM的短缺局面不会在短期内得到化解，三星电子与SK海力士正在多管齐下推进产能扩张。

据报道，三星电子器件解决方案部门的高管正在评估一项方案，即最早于明年将平泽园区唯一一条承接外部客户订单的代工产线S5，改造为存储生产设施，以此增加DRAM的产量。

据业内消息，SK海力士正在考虑与当地伙伴在日本设立合资工厂的可能性；业内尤其关注其可能会扩大与铠侠的合作——铠侠是日本最大的NAND闪存厂商，而SK海力士实际上是其最大股东。

不过，产能扩张并非一蹴而就。Ahn Ki - hyun表示："解决芯片短缺问题需要建设更多的生产工厂。即便计划中的新厂投产，短缺情况也只会得到缓解，而无法被彻底消除。"

（徽声在线 李莹）